收藏本站
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
PERFORMANCE DATA (@25oC Unless Otherwise Noted)*
CPC3703
Instantaneous Transfer Characteristics
R DS(on) Vs. Temperature
1000
900
800
700
600
Output Characteristics
V GS =-1.0
V GS =-1.5
350
300
250
200
(V DS =5V, T A =T J )
8
7
6
5
(V GS =0V, I D =200mA)
500
400
300
200
100
V GS =-2.0
V GS =-2.5
150
100
50
+125oC
+25oC
-55oC
4
3
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
1
-50
0
50
100
150
-2.0
V DS (V)
V GS(off) Vs. Temperature
(V DS =10V, I D =1mA)
1
V GS (V)
Maximum Rated Safe Operating Area
300
250
Temperature (oC)
Transconductance vs. Drain Current
(V DS =10V, T A =T J )
-55oC
+25oC
-2.5
0.1
200
+125oC
-3.0
0.01
150
100
-3.5
50
-4.0
-50
0
50
100
150
0.001
0.1
1
10
100
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
Temperature (oC)
Power Dissipation
V DS (V)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage
I D (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
1.2
1.0
0.8
vs. Ambient Temperature
600
525
450
375
(V GS =-5V)
C ISS
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
(V GS =0V)
0.6
300
2.5
0.4
0.2
0.0
225
150
75
0
C OSS
C RSS
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60 80 100
120
140
0
10
20
30
40
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Temperature (oC)
V DS (V)
I D (A)
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written speci?cations, please
contact our application department.
R06
www.ixysic.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CPC5602C MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
CPC5603C MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
CPDETLS-4000 RF POWER DETECTOR IN-LINE SMA
CPH3348-TL-E MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
CPH3350-TL-H MOSFET P-CH 20V 3A CPH3
CPH3351-TL-H MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
CPH3356-TL-H MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
CPH3360-TL-H MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
相关代理商/技术参数
CPC3703ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000
CPC3708ACTR 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC
CPC3708CTR 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1
CPC3708ZTR 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223
CPC3710 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET
CPC3710C 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, 250V SOT-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CPC3710CTR 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R, 250V SOT-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CPC3714 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET